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熱門查詢: SMV1265-01 1SMA5929BT MIC6315-26D4U ACEO 1333 TC7ST04F HVC300C CJS-1200TB 10n3 MIC2212-DOYML
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2SB1118T
 型號:  2SB1118T
 標記/絲印/代碼/打字:  BA-T
 廠家:   SANYO
 封裝:   SOT-89/PCP/SC-62
 批號:  05+
 庫存數量:  200
 所屬分類:  三極管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1118T BA-T 的參數

集電極-基極反向擊穿電壓V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?20V
集電極-發射極反向擊穿電壓V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?15V
集電極連續輸出電流IC Collector Current(IC) -700mA/-0.7A
截止頻率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
直流電流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管壓降VCE(sat) Collector-Emitter SaturationVoltage -120mV/-0.12V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor Low-Voltage High-Current Amplifier,Muting Applications Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s.
描述與應用 PNP硅外延平面晶體管 低電壓高電流放大器,靜音應用 特點 低集電極 - 發射極飽和電壓。 體積非常小,因此很容易提供高密度,小型混合IC。
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型號 標記/絲印/代碼 廠家 批號 封裝 數量 描述 詳細資料
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